- Samsung prepara silenciosamente SSD PCIe 4.0 sin DRAM con rendimiento de lectura de nivel emblemático
- El búfer de memoria del host reemplaza la DRAM dedicada en los próximos SSD económicos de Samsung
- Las especificaciones filtradas revelan velocidades de 7.150 MB/s del misterioso SSD de Samsung
Samsung parece estar preparando un SSD PCIe 4.0 NVMe económico que elimina el caché DRAM integrado que se encuentra en los diseños de unidades tradicionales.
El modelo no anunciado fue revelado brevemente en el sitio web de Samsung recientemente, antes de que se retirara la lista sin ninguna confirmación oficial de la compañía.
Las especificaciones enumeradas describen una unidad de 1 TB con velocidades de lectura secuencial de hasta 7150 MB/s y velocidades de escritura de hasta 6450 MB/s.
Cómo planea Samsung compensar la falta de DRAM
Los SSD tradicionales dependen de DRAM dedicada para almacenar la capa de traducción flash, lo que permite que el controlador ubique datos de manera rápida y eficiente a través de flash NAND.
Sin embargo, a medida que el “rampocalipsis” global continúa empeorando, incluso los proveedores más grandes están buscando formas de reducir su dependencia de la DRAM.
Sin esa DRAM, las unidades pueden sufrir una mayor latencia y un rendimiento deficiente durante cargas de trabajo prolongadas o sesiones multitarea intensas.
Para cerrar esta brecha, Samsung está utilizando la función Host Memory Buffer (HMB) de NVMe, que almacena una pequeña porción de la memoria del sistema en lugar de PCI Express.
Esa memoria prestada contiene metadatos de mapeo en lugar de archivos de usuario, vinculando direcciones lógicas directamente a sus ubicaciones físicas NAND.
Por lo general, HMB no puede igualar la capacidad de respuesta de la DRAM dedicada, aunque mejora el rendimiento en comparación con las unidades sin mecanismo de almacenamiento en caché.
La unidad tiene una clasificación de resistencia de 400 TBW, una cifra modesta para un SSD de 1 TB según los estándares actuales de la industria.
Este número indica memoria flash NAND de celda de cuatro niveles (QLC), que almacena cuatro bits por celda de memoria y reduce el costo y la durabilidad.
Samsung no ha revelado públicamente qué tecnología flash NAND específica se encuentra dentro de este modelo de unidad en particular no anunciado.
Los crecientes costos de los materiales están remodelando las opciones de diseño de SSD
Los movimientos de Samsung llegan en forma de NAND flash y DRAM Los precios en toda la industria mundial del almacenamiento han aumentado considerablemente este año.
La eliminación del paquete DRAM reduce directamente los costos de los componentes, simplifica el diseño de PCB y ayuda a mantener precios competitivos dentro del segmento general de SSD.
QLC NAND aumenta la densidad de almacenamiento y reduce los costos de fabricación, aunque también supera a la NAND de celda de triple nivel en rendimiento de escritura sostenido y calificaciones de resistencia a largo plazo.
Es significativamente menos duradero que las tecnologías NAND de celda multinivel (MLC) y de celda de un solo nivel (SLC) más antiguas que todavía se encuentran en algunos productos de almacenamiento empresarial.
A pesar de estas compensaciones, las velocidades secuenciales enumeradas de 7150 MB/s y 6450 MB/s ponen la unidad en línea con muchas SSD PCIe 4.0 convencionales con caché DRAM dedicada.
Samsung no ha anunciado precios, disponibilidad, nombres oficiales de productos ni la tecnología NAND específica utilizada en las unidades.
Hasta que surjan esos detalles, las especificaciones filtradas apuntan a SSD PCIe 4.0 de bajo costo diseñados para equilibrar el rendimiento competitivo con bajos costos de producción a medida que los precios de la memoria continúan aumentando.
Vía Gurú del 3D
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