- Samsung quiere que el número de capas NAND alcance los cuatro dígitos esta década
- Los futuros SSD M.2 pueden ampliar su capacidad de 8 TB a 32 TB
- Los enlaces múltiples celulares pueden reemplazar los enfoques tradicionales para aumentar la densidad NAND
Samsung ha desarrollado una estrategia NAND que se expande hacia diseños de memoria de 1000 capas a medida que la demanda de almacenamiento denso se acelera en toda la industria.
La hoja de ruta, publicada durante el Simposio IEEE/JSAP VLSI 2026, extiende los planes de escalamiento vertical actuales más allá de los productos comerciales existentes.
En el centro de esta ambición se encuentra una futura generación de almacenamiento capaz de llevar las capacidades familiares de SSD a territorio desconocido.
Ruta hacia el SSD M.2 de 32 TB del mañana desde la unidad de hoy
Samsung espera que su tecnología NAND alcance alrededor de 420 niveles en 2029 antes de superar los 560 niveles en 2030.
Más allá de ese punto, la compañía tiene la intención de explorar arquitecturas que lleven entre 900 y 1000 niveles en futuras generaciones de memoria flash.
En lugar de construir una estructura NAND masiva, Samsung planea combinar múltiples pilas a través de su enfoque de tecnología de múltiples enlaces celulares.
El método une estructuras NAND individuales dentro de un paquete para lograr una densidad similar a la de un solo dispositivo de 1000 capas.
Samsung discutió específicamente la adición de dos estructuras de aproximadamente 450 capas para acercarse a la densidad efectiva asociada con futuros recuentos de capas de cuatro dígitos.
Según estimaciones de la compañía, este sistema puede multiplicar por cuatro la densidad de almacenamiento que las soluciones de generación actual.
Un ejemplo mencionado durante la presentación involucró una unidad QLC M.2 de 8 TB que se amplió para alcanzar eventualmente una capacidad de 32 TB.
Este escenario permitirá SSD significativamente más grandes sin aumentar las dimensiones físicas, guardando el formato compacto M.2 que muchos usuarios recordarán bien.
El mismo enfoque de escalamiento podría eventualmente contribuir a que las unidades empresariales superen los 100 TB y, al mismo tiempo, acercar las discusiones sobre SSD sobre petabytes a la realidad.
Problemas de ingeniería entre Samsung y un SSD Petabyte
Samsung reconoce que el aumento del número de capas introduce una complejidad de fabricación que se vuelve progresivamente más difícil a medida que las estructuras se vuelven verticalmente más altas.
Una preocupación importante es la deformación de las obleas, donde las estructuras alargadas pueden distorsionarse durante la fabricación y reducir la consistencia o el rendimiento de la fabricación.
Otro desafío surge de mantener la precisión de la alineación en cientos de capas apiladas, lo que requiere un control de superposición altamente preciso durante todo el proceso de fabricación.
Incluso las desviaciones relativamente menores entre capas pueden afectar la confiabilidad, el rendimiento y la eficiencia de fabricación a largo plazo en los productos de almacenamiento terminados.
Para limitar los efectos de la distorsión, Samsung planea introducir un diseño de mandril superior destinado a estabilizar estructuras de obleas cada vez más complejas.
La compañía también habló sobre la tecnología de corrección de superposición destinada a mejorar la precisión de la alineación a medida que las futuras estructuras NAND crezcan.
Estos avances se producen cuando los procesos convencionales se vuelven cada vez más difíciles de reducir, lo que obliga a los fabricantes de memoria a adoptar arquitecturas verticales más elaboradas.
Samsung discutió por separado una generación NAND de 400 capas que batió récords y que podría ayudar a que la capacidad de AI HyperScaler SSD supere la barrera de los 200 TB..
La compañía vincula la tecnología NAND de 430 capas con un futuro en el que los SSD de 100 TB se volverán cada vez más comunes en las implementaciones empresariales.
Samsung trabajará con hafnia ferroelectrics para aumentar el número de capas prácticas a más de 1000 capas.
Sin embargo, si estos diseños finalmente entregan unidades M.2 de 32 TB o SSD de petabytes depende de las realidades de fabricación más que de las hojas de ruta.
Sin embargo, la última hoja de ruta de Samsung sugiere que la carrera hacia el dominio NAND depende de la inteligencia en lugar de dimensiones cada vez más reducidas.
Vía Gurú del 3D
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